ذاكرة إلكترونية ثورية: سرعة فائقة واحتفاظ دائم بالبيانات حتى مع انقطاع التيار

في تطور علمي بارز، نجح فريق دولي من الباحثين، يضم علماء من جامعة الشرق الأقصى الفيدرالية الروسية وجامعة سخالين الحكومية الروسية، بالتعاون مع مراكز علمية في الصين، في تطوير نوع جديد من الذاكرة غير المتطايرة أطلق عليه اسم “SOT-MRAM”. يتميز هذا الابتكار بسرعة معالجة بيانات استثنائية وقدرة فريدة على الاحتفاظ بالمعلومات حتى في حالة انقطاع التيار الكهربائي، مما يفتح آفاقاً واعدة لتطوير جيل جديد من وحدات التخزين الإلكترونية ذات كفاءة عالية في استهلاك الطاقة.

ووفقاً لما نقلته وكالة “سبوتنيك” يوم أمس الإثنين، استناداً إلى بوابة “روسيا العلمية”، تعتمد التقنية الجديدة على بنية مبتكرة تتكون من ثلاث طبقات، تشمل طبقتين مغناطيسيتين تفصل بينهما طبقة رقيقة جداً من معدن التنغستن بسماكة تقارب النانومتر الواحد. تتيح هذه البنية توليد تيار سبيني فعال لتبديل حالة المغنطة داخل الخلية، مع تحقيق كفاءة تحويل للتيار الكهربائي إلى تيار سبيني تصل إلى 15 بالمئة.

وأشار الباحثون إلى أن تقليل سماكة الطبقات لا يقتصر على تصغير حجم الذاكرة فحسب، بل يساهم أيضاً في خفض استهلاك الطاقة وتقليل تيارات الكتابة، مما يجعل هذه التقنية مناسبة بشكل خاص للتطبيقات الصناعية. وتتفوق ذاكرة “SOT-MRAM” في سرعة الكتابة على وحدات التخزين الإلكترونية الحالية بعشرات المرات، مع ضمان الاحتفاظ بالبيانات بشكل دائم، مما يعزز من إمكانيات استخدامها في الأجهزة الإلكترونية والحواسيب المستقبلية.

يمثل هذا الإنجاز العلمي خطوة هامة نحو تطوير حلول تخزين أكثر كفاءة واعتمادية، تجمع بين السرعة الفائقة والاستهلاك المنخفض للطاقة، لتلبية متطلبات الجيل القادم من التقنيات الرقمية.